单元探测器、多元探测器
• 钽酸锂(LiTaO3)制成的探测器
• 很高的探测率(109cm√Hz/W)
• 超低噪声
• 低颤噪效应
• 低温依赖性
• 非常好的长期稳定性
• 电压或电流模式
• 客户设计红外滤光片
• 可选带吸收器或银黑
• 可选带热补偿
• 每个探测器可达4个光谱通道
• 单个元件几何尺寸不同
• 不同封装类型
• 优绣的性价比
应用
DIAS公司生产的焦热电单元、多元红外探测器设计用于气体分析、光谱分析、温度检测及安检等应用。
通过对超薄的元件用现代离子蚀刻技术可以获得非常高的比探测率D*。
大量不同的红外传感器结构使得无论是少量还是大量都可以以很高的性价比进行定制。
型号
型号一览 | ||||||
型号 | 元件尺寸 | 附加吸收体 | 热补偿 | SV(V/W) | uRn (nV/√Hz) | D* (cm√Hz/W) |
单元探测器4 | ||||||
LT -标准型 | ||||||
LT Q2 | 2 mm x 2 mm | 300 | 150 | 4·108 | ||
LT Q1.2 | 1.2 mm x 1.2 mm | 800 | 370 | 2.5·108 | ||
LT Q1 | 1 mm x 1 mm | 1100 | 500 | 2·108 | ||
LT Q0.5 | 0.5 mm x 0.5 mm | 3200 | 1500 | 1·108 | ||
LT G2 | 2 mm x 2 mm | 300 | 170 | 3.5·108 | ||
LT G2PC | 2 mm x 2 mm | x | 150 | 100 | 3·108 | |
LT D2.5 | ∅2.5 mm | 220 | 140 | 4·108 | ||
LT D2 | ∅ 2 mm | 360 | 190 | 3.5·108 | ||
LT D1 | ∅1 mm | 1200 | 700 | 2·108 | ||
LTI Q2 3 | 2 mm x 2 mm | 250 | 80 | 8·108 | ||
LTI Q1.2 3 | 1.2 mm x 1.2 mm | 700 | 120 | 6.5·108 | ||
LTI Q1 3 | 1 mm x 1 mm | 900 | 160 | 6·108 | ||
LTI Q0.5 3 | 0.5 mm x 0.5 mm | 3500 | 500 | 3·108 | ||
LTI D2 3 | ∅2 mm | 300 | 80 | 8·108 | ||
LTI D1 3 | ∅1 mm | 1200 | 200 | 5·108 | ||
LTI Q2I100 3. 5 | 2 mm x 2 mm | 300000 | 100000 | 8·108 | ||
LTA-增强吸收型 | ||||||
LTA G2 | 2 mm x 2 mm | x | 400 | 170 | 4.5·108 | |
LTA G2PC | 2 mm x 2 mm | x | x | 200 | 100 | 3.7·108 |
LTAI G2 3 | 2 mm x 2 mm | x | 300 | 100 | 6·108 | |
LTA G2I10 5 | 2 mm x 2 mm | x | 15000 | 20000 | 1.5·108 | |
LTA G2I10PC 5 | 2 mm x 2 mm | x | x | 14000 | 20000 | 1.4·108 |
LTA G2I100 5 | 2 mm x 2 mm | x | 70000 | 20000 | 2.5·108 | |
LTA G2I100PC 5 | 2 mm x 2 mm | x | x | 65000 | 20000 | 2.3·108 |
LTS-带银黑型 | ||||||
LTS Q2 | 2 mm x 2 mm | x | 420 | 150 | 5·108 | |
LTS Q1.2 | 1.2 mm x 1.2 mm | x | 1200 | 370 | 3.5·108 | |
LTS Q1 | 1 mm x 1 mm | x | 1600 | 500 | 3·108 | |
LTS D2.5 | ∅2.5 mm | x | 340 | 140 | 6·108 | |
LTS D2 | ∅ 2 mm | x | 520 | 190 | 5·108 | |
LTS D1 | ∅1 mm | x | 1800 | 700 | 2.5·108 | |
LTSI Q2 3 | 2 mm x 2 mm | x | 350 | 80 | 9·108 | |
LTSI Q1.2 3 | 1.2 mm x 1.2 mm | x | 900 | 120 | 9·108 | |
LTSI Q1 3 | 1 mm x 1 mm | x | 1300 | 150 | 8·108 | |
LTSI D2 3 | ∅2 mm | x | 450 | 80 | 9·108 | |
LTSI D1 3 | ∅1 mm | x | 1600 | 200 | 7.5·108 | |
LTSI Q2I100 5 | 2 mm x 2 mm | x | 450000 | 100000 | 1·109 | |
多元探测器 | ||||||
2LTA G2 | 2 x 2 mm x 2 mm | x | 300 | 170 | 3.4·108 | |
2LTA G2PC | 2 x 2 mm x 2 mm | x | x | 150 | 100 | 3·108 |
3LTA G2 | 3 x 2 mm x 2 mm | x | 300 | 170 | 3.4·108 | |
3LTA G2PC | 3 x 2 mm x 2 mm | x | x | 150 | 100 | 3·108 |
4LTA G2 | 4 x 2 mm x 2 mm | x | 300 | 170 | 3.4·108 |
SV 响应率, uRn 噪声电压, D* 比探测率 , x 代表有这项功能
备注
1 频率: 10 Hz, 探测器温度: 25 °C
2 黑体温度: 500 K, 滤光片透过率: 100 %
3 通过芯片离子蚀刻减低噪声
4 其它元件尺寸可选
5 电流模式型号TO18, TO39 或 TO8封装, 典型偏置电压: 0.4~1.5 V, 典型操作电压: 2~18 V,
操作和存储温度: –20~ 70 °C,LTS型号操作和存储温度: –20~60 °C
0931-2662464
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